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[17p-M_103-10]Effect of Resistive-Heating-Induced Bias on Graphene Growth on Si Substrates using High-Power Pulsed Sputtering Plasma
〇Akihiro Iwata1, Shotaro Yamada1, Masanori Shinohara1, Takashi Matsumoto2 (1.Fukuoka Univ., 2.Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.)
Keywords:
high-power pulsed sputtering,graphene
LSIの配線材として期待されるグラフェンのSi基板上での低温・触媒フリー成膜に向け，カーボンターゲットによる大電力パルススパッタリングとスチレンによるプラズマCVDを組み合わせた手法を用いた．通電加熱による成膜において，グラフェン成長を示すラマンスペクトルのピーク強度が電極からの距離に応じて変化した．基板表面の電位分布計測を行い，基板面内側での電位の変化により生じるバイアス変化のグラフェン形成への影響について述べる．