講演情報
[17p-M_103-10]大電力パルススパッタリングプラズマによるSi基板上のグラフェン成膜に及ぼす通電加熱バイアスの影響
〇岩田 晃拓1、山田 昌太郎1、篠原 正典1、松本 貴士2 (1.福岡大、2.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ（株）)
キーワード：
大電力パルススパッタリング、グラフェン
LSIの配線材として期待されるグラフェンのSi基板上での低温・触媒フリー成膜に向け，カーボンターゲットによる大電力パルススパッタリングとスチレンによるプラズマCVDを組み合わせた手法を用いた．通電加熱による成膜において，グラフェン成長を示すラマンスペクトルのピーク強度が電極からの距離に応じて変化した．基板表面の電位分布計測を行い，基板面内側での電位の変化により生じるバイアス変化のグラフェン形成への影響について述べる．