[17p-M_B07-1~10] Frontiers of Semiconductor Characterization Techniques

1:55 PM - 2:15 PM JST(4:55 AM - 5:15 AM UTC)

[17p-M_B07-2] Characterization of Individual Trap Levels at Semiconductor Interfaces Using Non-Contact Atomic Force Microscopy

Takahiro Ono¹, Mizuki Ohashi¹, Tomohiro Shigeno¹, Yuuki Yasui¹, Yutaro Uchida¹, Koji Kita¹, 〇Yoshiaki Sugimoto¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:

Atomic force microscopy,Trap Level,Wide-Bandgap Semiconductors

超高真空の非接触原子間力顕微鏡によって、SiC/SiO₂の界面に存在する個々のトラップ準位を可視化して、そのエネルギーを見積もる方法について発表する。