[17p-M_B07-1~10] 半導体評価技術の最前線

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[17p-M_B07-2] 非接触原子間力顕微鏡による半導体界面の個々のトラップ準位の評価

小野 孝浩¹、大橋 瑞輝¹、重野 智宏¹、安井 勇気¹、内田 雄太郎¹、喜多 浩之¹、〇杉本 宜昭¹ (1.東大新領域)

キーワード：

原子間力顕微鏡、トラップ準位、ワイドバンドギャップ半導体

超高真空の非接触原子間力顕微鏡によって、SiC/SiO₂の界面に存在する個々のトラップ準位を可視化して、そのエネルギーを見積もる方法について発表する。