[17p-M_B07-1~10] Frontiers of Semiconductor Characterization Techniques

2:40 PM - 3:05 PM JST(5:40 AM - 6:05 AM UTC)

[17p-M_B07-4] TEM atomic resolution analysis of advanced semiconductor devices and materials

〇Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

semiconductor,interface structure,atomic layer materials

透過電子顕微鏡(TEM)の空間分解能の指標として、近年の製品では、情報限界100pm以上という値を見ることができる。本講演では、この高い空間分解能が可能とする、半導体デバイス・材料のTEM解析例を紹介するとともに、分解能を決める因子や、実験での注意点について述べる。また、TEM-EDSとTEM-EELSについても、デバイス材料分析における空間分解能の観点から、いくつかの応用例を紹介する。