Presentation Information
[17p-W2_401-15]Observation of dislocations in GaN bulk substrates by multi-beam excitation SR-XRT
〇Yongzhao Yao1,3, Kazuki Ohnishi1, Yoshiyuki Tsusaka2, Yukari Ishikawa3 (1.Mie Univ., 2.Univ. of Hyogo, 3.JFCC)
Keywords:
GaN,X-ray topography,dislocation
GaN結晶中の貫通転位は、パワーデバイスの特性に重大な影響を及ぼすことが知られている。成長過程における転位低減のためには、結晶中の転位分布およびその性質を正確に評価することが不可欠である。本研究では放射光X線を用いて多波励起（6波）および2波近似条件下でX線トポグラフィー（XRT）観察を行い、アモノサーマル法GaN基板中の転位を調査した。本発表では、多波励起XRTで観察した運動学的および動力学的転位コントラストについて報告する。