講演情報
[17p-W2_401-15]多波励起放射光X線トポグラフィーによるGaNバルク基板中の転位観察
〇姚 永昭1,3、大西 一生1、津坂 佳幸2、石川 由加里3 (1.三重大、2.兵県大院理、3.JFCC)
キーワード：
窒化ガリウム、X線トポグラフィー、転位
GaN結晶中の貫通転位は、パワーデバイスの特性に重大な影響を及ぼすことが知られている。成長過程における転位低減のためには、結晶中の転位分布およびその性質を正確に評価することが不可欠である。本研究では放射光X線を用いて多波励起（6波）および2波近似条件下でX線トポグラフィー（XRT）観察を行い、アモノサーマル法GaN基板中の転位を調査した。本発表では、多波励起XRTで観察した運動学的および動力学的転位コントラストについて報告する。