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6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)

[17p-W2_401-16]Dislocation analysis of GaN substrates via reflection and transmission XRT

〇Kazuki Ohnishi¹, Kenji Iso², Hirotaka Ikeda², Yoshiyuki Tsusaka³, Yongzhao Yao¹ (1.Mie Univ., 2.Mitsubishi Chemical, 3.Univ. of Hyogo)

Keywords:

XRT,Dislocation,GaN substrates

GaN縦型パワーデバイスの高性能化と歩留まり向上に向けて, キラー欠陥の同定とそのウェハ内分布の正確な把握, さらに, その低減手法を確立することは必須である. 本研究では, 非破壊かつ転位の3次元情報が得られる透過配置XRTと反射配置XRTを用いてGaN基板中の転位を評価し, そのバーガースベクトルを推定したので報告する.

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