講演情報
[17p-W2_401-16]反射/透過配置放射光XRTを用いたGaN基板中の転位解析
〇大西 一生1、磯 憲司2、池田 宏隆2、津坂 佳幸3、姚 永昭1 (1.三重大ICSDF、2.三菱ケミカル、3.兵県大院理)
キーワード：
X線トポグラフィー、転位、GaN基板
GaN縦型パワーデバイスの高性能化と歩留まり向上に向けて, キラー欠陥の同定とそのウェハ内分布の正確な把握, さらに, その低減手法を確立することは必須である. 本研究では, 非破壊かつ転位の3次元情報が得られる透過配置XRTと反射配置XRTを用いてGaN基板中の転位を評価し, そのバーガースベクトルを推定したので報告する.