[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W2_401-17] Structural analysis of N-polar AlN on a tiny-pit layer by TEM

〇(B)Harunobu Hatano¹, Kazuki Ohnishi¹, Taisei Kimoto², Narihito Okada², Yongzhao Yao¹ (1.Mie Univ., 2.Yamaguchi Univ.)

Keywords:

N-polar AlN,TEM,Dislocation

N極性AlN系デバイスの高性能化において貫通転位の低減は重要である。微小ピット層上にMOVPE成長させたN極性AlNは貫通転位密度が低減することが報告されているが、低減のメカニズムと転位構造については十分に理解されていなかった。本講演では微小ピット層上にMOVPE成長させたN極性AlN中の転位構造を透過電子顕微鏡を用いて解析した結果を報告する。