[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[17p-W2_401-2] Investigation of Pseudo-ELO GaN Growth on ScAlMgO4 Substrate by THVPE

〇(D)Shina Momiyama¹, Nakai Satoru¹, Michibata Kenta¹, Murakami Hisashi¹ (1.BASE.TUAT)

Keywords:

GaN,THVPE,ScAlMgO4

SAM基板はGaNとの格子定数差が小さい一方、濡れ性が悪く高品質なGaN成長が困難である。本研究ではTHVPE法を用い、高Ⅴ/Ⅲ比条件により濡れ性の悪いSAM基板上で高品質なGaN核形成層の成長を達成した。さらに、核形成層上に低Ⅴ/Ⅲ比でGaNを成長させることで擬似的な選択横方向成長（ELO）が生じることが示唆された。