講演情報
[17p-W2_401-2]THVPE法による ScAlMgO4 基板上 GaN成長における疑似 ELO の検討
〇(D)籾山 史奈1、中井 慧1、道端 健太1、村上 尚1 (1.東京農工大学院)
キーワード：
窒化ガリウム(GaN)、THVPE、ScAlMgO4
SAM基板はGaNとの格子定数差が小さい一方、濡れ性が悪く高品質なGaN成長が困難である。本研究ではTHVPE法を用い、高Ⅴ/Ⅲ比条件により濡れ性の悪いSAM基板上で高品質なGaN核形成層の成長を達成した。さらに、核形成層上に低Ⅴ/Ⅲ比でGaNを成長させることで擬似的な選択横方向成長（ELO）が生じることが示唆された。