[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W2_401-4] Optimization of N-polar/Ga-polar GaN Epitaxial Polarity Inversion Process by MOVPE

〇(M2)Kanako Ueda¹, Kazuhisa Ikeda², Kanta Taniguchi¹, Satoshi Ichikawa³, Jun Yamasaki^1,3, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. Sch. of Eng., The Univ. of Osaka, 2.Tokyo Univ. of Science, 3.Res. Ctr. for UHVEM, The Univ. of Osaka)

Keywords:

semiconductor,gallium nitride

GaNは強い光学非線形性と光損傷耐性を持ち、波長変換デバイスへの応用が期待される。高効率な波長変換には積層方向に極性を複数回反転させた横型QPM構造が必要である。これまでに表面酸化とMOVPE成長による極性反転技術を確立してきたが、従来法では界面酸化層が約400 nmと厚くなり、ボイドが発生する課題があった。本研究では、酸化層の薄膜化とボイド抑制を目的に酸化条件と再成長プロセスの最適化を行った。