講演情報
[17p-W2_401-4]有機金属気相成長を用いたGa極性からN極性へのGaNエピタキシャル極性反転プロセスの最適化
〇(M2)上田 佳奈子1、池田 和久2、谷口 貫太1、市川 聡3、山崎 順1,3、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.東京理科大院工、3.阪大電顕センター)
キーワード：
半導体、窒化ガリウム
GaNは強い光学非線形性と光損傷耐性を持ち、波長変換デバイスへの応用が期待される。高効率な波長変換には積層方向に極性を複数回反転させた横型QPM構造が必要である。これまでに表面酸化とMOVPE成長による極性反転技術を確立してきたが、従来法では界面酸化層が約400 nmと厚くなり、ボイドが発生する課題があった。本研究では、酸化層の薄膜化とボイド抑制を目的に酸化条件と再成長プロセスの最適化を行った。