[17p-W8E_101-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W8E_101-12] Negative Shift of Threshold Voltage due to Bias Stress in Pseudomorphic AlN/GaN/AlN HEMTs

〇Omino Mori¹, Lee Taegi^2,3, Yoshikawa Akira^2,3, Sugiyama Sho^2,3, Arai Manabu³, Ando Yuji^1,3, Suda Jun^1,3, Amano Hiroshi^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Asahi Kasei, 3.IMass)

Keywords:

gallium nitride (GaN),High Electron Mobility Transistor (HEMT),Aluminum nitride (AlN)

AlN基板上にシュードモルフィック成長させたAlN/GaN/AlN HEMTはAlNが持つ優れた物性により、従来のAlGaN/GaN HEMTを凌駕する性能が期待される。本構造において、バイアスストレス印加により閾値電圧が負方向へシフトする現象が確認された。本研究では、ストレス条件を変えた伝達特性やストレス印加後の閾値電圧の回復挙動などについて詳しく調べたので報告する。