[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-12] AlN基板上シュードモルフィック AlN/GaN/AlN HEMTにおけるバイアスストレス印加による閾値の負方向シフト

〇森 臣能¹、李 太起^2,3、吉川 陽^2,3、杉山 聖^2,3、新井 学³、安藤 裕二^1,3、須田 淳^1,3、天野 浩^1,3 (1.名大院工、2.旭化成、3.名大IMass)

キーワード：

窒化ガリウム (GaN)、高電子移動度トランジスタ (HEMT)、窒化アルミニウム (AlN)

AlN基板上にシュードモルフィック成長させたAlN/GaN/AlN HEMTはAlNが持つ優れた物性により、従来のAlGaN/GaN HEMTを凌駕する性能が期待される。本構造において、バイアスストレス印加により閾値電圧が負方向へシフトする現象が確認された。本研究では、ストレス条件を変えた伝達特性やストレス印加後の閾値電圧の回復挙動などについて詳しく調べたので報告する。