[17p-W8E_101-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)

[17p-W8E_101-16] Enhancement of Electron Mobility for GaN based Heterojunction by Quasi-Modulation Doped Structure

〇Kazuki Kodama¹, Chee-How Lu¹, You-Chen Weng¹, Yuan Lin¹, Yu-hao Chen¹, Daisuke Ueda¹, Yi Chang¹ (1.NYCU)

Keywords:

AlGaN/GaN,Enhanced electron mobility,Quasi-Modulation Doping

我々はAlGaN/GaNヘテロ構造に中間層としてAlGaN傾斜層を挿入した擬似的変調ドープ構造により、電子移動度が飛躍的に増加することを見出した。本報告は、擬似的変調ドープ構造の低温時の移動度が従来のabrupt構造のものに比べて有意に高く、キャリア散乱が減少することを確認したものである。提案する構造は今後のGaN FETの開発に向けた有効な技術指針と期待できる。