[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:45 〜 18:00

[17p-W8E_101-16] 擬似的変調ドープ構造によるGaN系ヘテロ接合の移動度の向上

〇児玉 和樹¹、盧 志豪¹、翁 祐晨¹、林 垣¹、陳 昱豪¹、上田 大助¹、張 翼¹ (1.陽明交通大)

キーワード：

AlGaN/GaN、高電子移動度、擬似的変調ドープ

我々はAlGaN/GaNヘテロ構造に中間層としてAlGaN傾斜層を挿入した擬似的変調ドープ構造により、電子移動度が飛躍的に増加することを見出した。本報告は、擬似的変調ドープ構造の低温時の移動度が従来のabrupt構造のものに比べて有意に高く、キャリア散乱が減少することを確認したものである。提案する構造は今後のGaN FETの開発に向けた有効な技術指針と期待できる。