Presentation Information
[17p-W8E_101-18]Suitable Processing Conditions for Recess-Gate GaN-HEMTs using Photoelectrochemial (PEC) Reactions
〇Tsutomu Matsuura1, Yuki Takiguchi1, Koji Yoshitsugu1, Hiroaki Hayashi1, Eiji Yagyu1, Taketomo Sato2, Takashi Takenaga1 (1.Mitsubishi Electric, 2.RCIQE)
Keywords:
GaN,PEC
GaN-HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）の利得向上には、バリア層の薄層化が有効である。しかし、2次元電子ガス（2DEG）密度の低下、耐圧の悪化に加え、RF動作時の電流コラプスが課題となる。これを改善するため、ゲート直下のバリア層を加工 するリセスゲート構造が提案されており、電界集中の緩和と電流の安定化が期待される。本研究は、窒化物半導体の加工性向上を目的とし、導入欠陥が極めて少ないと期待される光電気化学（PEC: photo‑electrochemical）エッチング加工を窒化物半導体に適用し、その実現可能性を確認するとともに、デバイス特性を簡易評価した結果を報告する。