[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:15 〜 18:30

[17p-W8E_101-18] 光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートGaN-HEMTに適した加工条件の導出

〇松浦 努¹、滝口 雄貴¹、吉嗣 晃治¹、林 宏暁¹、柳生 栄治¹、佐藤 威友²、長永 隆志¹ (1.三菱電機株式会社、2.北大量集センター)

キーワード：

窒化ガリウム、光電気化学

GaN-HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）の利得向上には、バリア層の薄層化が有効である。しかし、2次元電子ガス（2DEG）密度の低下、耐圧の悪化に加え、RF動作時の電流コラプスが課題となる。これを改善するため、ゲート直下のバリア層を加工 するリセスゲート構造が提案されており、電界集中の緩和と電流の安定化が期待される。本研究は、窒化物半導体の加工性向上を目的とし、導入欠陥が極めて少ないと期待される光電気化学（PEC: photo‑electrochemical）エッチング加工を窒化物半導体に適用し、その実現可能性を確認するとともに、デバイス特性を簡易評価した結果を報告する。