[17p-W8E_101-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W8E_101-6] GaN HEMT using High-k films with thickness distribution between GD

〇Itsuki Yoshida¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

GaN HEMT

GD間に異なるHigh-k膜パッシベーションを施したGaN HEMTを作製・評価した。High-k膜をGD間のゲート側にのみ堆積したGate、GD間に一様に堆積したAll、堆積させなかったNoneの3種を比較した結果、ゲートリークはGateが最小、遮断周波数はNone、Gate、Allの順に高かった。この結果は部分的パッシベーションにより耐圧向上と高周波特性維持の両立が示唆された。