[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-6] GD間膜厚分布を持つHigh-k膜によるGaN HEMT

〇吉田 樹¹、宮本 恭幸¹ (1.科学大)

キーワード：

GaN HEMT

GD間に異なるHigh-k膜パッシベーションを施したGaN HEMTを作製・評価した。High-k膜をGD間のゲート側にのみ堆積したGate、GD間に一様に堆積したAll、堆積させなかったNoneの3種を比較した結果、ゲートリークはGateが最小、遮断周波数はNone、Gate、Allの順に高かった。この結果は部分的パッシベーションにより耐圧向上と高周波特性維持の両立が示唆された。