[17p-W8E_101-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W8E_101-7] Extraction of Cap-Channel Interfacial Resistance in Wide Recess AlGaN/GaN HEMTs with an n+ Cap Layer Using Two-Layer Transmission Line Model

〇Takuya Fujimoto¹, Yuji Ando^1,2, Hidemasa Takahashi¹, Ryutaro Makisako¹, Akio Wakejima³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMass, Nagoya Univ., 3.Kumamoto Univ.)

Keywords:

AlGaN/GaN HEMT,Bilayer Cap,Two-Layer Transmission Line Model

n⁺-GaN/n⁺-AlGaN二層キャップ構造を有するワイドリセス構造AlGaN/GaN HEMTにおいて、二層キャップ構造によるアクセス抵抗低減効果をより詳細に分析するため、二層伝送線路モデルを用いた解析を行った。キャップ層からチャネル層へのコンタクト抵抗率は3×10^-5 Ωcm²と見積もられた。本モデルを用いた二層キャップ層の構造最適化により、さらなる高周波特性の向上が期待される。