講演情報
[17p-W8E_101-7]n+キャップ層を有するワイドリセス構造AlGaN/GaN HEMTの二層伝送線路モデルによるキャップ層-チャネル間界面抵抗の抽出
〇藤本 拓也1、安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.熊本大)
キーワード：
AlGaN/GaN HEMT、二層キャップ層、二層伝送線路モデル
n+-GaN/n+-AlGaN二層キャップ構造を有するワイドリセス構造AlGaN/GaN HEMTにおいて、二層キャップ構造によるアクセス抵抗低減効果をより詳細に分析するため、二層伝送線路モデルを用いた解析を行った。キャップ層からチャネル層へのコンタクト抵抗率は3×10-5 Ωcm2と見積もられた。本モデルを用いた二層キャップ層の構造最適化により、さらなる高周波特性の向上が期待される。