[17p-W8E_101-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W8E_101-8] RF power amplification of AlN-based polarization-doped FETs

〇Seiya Kawasaki¹, Masanobu Hiroki¹, Kazuyuki Hirama¹, Yoshitaka Taniyasu¹ (1.NTT BRL)

Keywords:

high-Al-content AlGaN,Polarization-doped transistor,Ultra Widegap semiconductor

平均Al組成最大89％までの組成傾斜AlGaN層をチャネルとした分極ドープFETを作製し，その高周波特性を評価した．2.4 GHz, Vds=25 V において，7.8–12 dB の線形利得および，0.3–1.2 W/mm の飽和出力を得た．平均 Al 組成 89% の AlGaN のバンドギャップは 5.6 eV であり，高周波電力増幅動作が報告されている半導体材料の中で最も大きい．