[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-8] AlN系分極ドープFETの高周波電力増幅動作

〇川崎 晟也¹、廣木 正伸¹、平間 一行¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

高Al組成AlGaN、分極ドープトランジスタ、ウルトラワイドギャップ半導体

平均Al組成最大89％までの組成傾斜AlGaN層をチャネルとした分極ドープFETを作製し，その高周波特性を評価した．2.4 GHz, Vds=25 V において，7.8–12 dB の線形利得および，0.3–1.2 W/mm の飽和出力を得た．平均 Al 組成 89% の AlGaN のバンドギャップは 5.6 eV であり，高周波電力増幅動作が報告されている半導体材料の中で最も大きい．