[17p-W9_324-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W9_324-1] Reduction of Si impurities in β-Ga₂O₃ thin films grown by mist CVD

〇Yuki Isobe¹, Yuki Yamamoto², Takeru Wakamatsu¹, Kentaro Kaneko³, Shizuo Fujita¹, Katsuhisa Tanaka¹ (1.Kyoto Univ., 2.Oxide Corp., 3.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

Gallium Oxide,mist CVD

ミストCVD法を用いたβ-Ga₂O₃成長においては、他の成長法と比較してキャリア密度が依然として高い傾向にある。本研究では、薄膜成長前に炉内壁をコーティングし基板表面を洗浄してSiなどの不純物濃度の低減を試みた。基板洗浄と炉内壁コーティングの両方によりSi濃度およびキャリア密度が低下し、キャリア密度が6.3 × 10¹⁶ cm⁻³のとき、移動度は129 cm²V⁻¹s⁻¹を示した。