[17p-W9_324-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[17p-W9_324-1] ミストCVD法により成長したβ-Ga₂O₃薄膜のSi不純物の低減

〇磯部 優貴¹、山本 裕貴²、若松 岳¹、金子 健太郎³、藤田 静雄¹、田中 勝久¹ (1.京大、2.(株)オキサイド、3.立命館大)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD

ミストCVD法を用いたβ-Ga₂O₃成長においては、他の成長法と比較してキャリア密度が依然として高い傾向にある。本研究では、薄膜成長前に炉内壁をコーティングし基板表面を洗浄してSiなどの不純物濃度の低減を試みた。基板洗浄と炉内壁コーティングの両方によりSi濃度およびキャリア密度が低下し、キャリア密度が6.3 × 10¹⁶ cm⁻³のとき、移動度は129 cm²V⁻¹s⁻¹を示した。