[17p-W9_324-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-W9_324-13] Growth of Rutile GeO₂ by Oxide Vapor Phase Epitaxy method

〇(M1)Haru Nakano¹, Eisho Kishimoto¹, Shigeyoshi Usami¹, Masayuki Imanishi¹, Yusuke Mori¹ (1.UOsaka)

Keywords:

Rutile GeO2,Oxide Vapor Phase Epitaxy,Wide bandgap semiconductor

次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型GeO₂に対し，原料由来の不純物が存在しないOVPE法を適用した高純度薄膜成長手法を提案する。r-TiO₂基板上への成長を試み，構造評価ならびにKOH浸漬実験により，ルチル型GeO₂の成長を確認した。異相の形成も確認されているため，今後は単相成長の実現を目指す。