[17p-W9_324-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[17p-W9_324-13] 酸化物気相成長法によるルチル型GeO₂の成長

〇(M1)中野 春流¹、岸本 詠章¹、宇佐美 茂佳¹、今西 正幸¹、森 勇介¹ (1.阪大院工)

キーワード：

ルチル型GeO2、酸化物気相成長法、ワイドバンドギャップ半導体

次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型GeO₂に対し，原料由来の不純物が存在しないOVPE法を適用した高純度薄膜成長手法を提案する。r-TiO₂基板上への成長を試み，構造評価ならびにKOH浸漬実験により，ルチル型GeO₂の成長を確認した。異相の形成も確認されているため，今後は単相成長の実現を目指す。