Presentation Information
[17p-W9_324-8]Study of 2DEG density modulation in GaN HEMT using κ-Ga2O3 thin films
〇(M1)Misaki Nishikawa1, Hikaru Doi1, Masatoshi Koyama1, Akihiko Fujii1, Toshihiko Maemoto1, Kozo Makiyama2, Ken Nakata2 (1.NMRC, Osaka Inst. of Tech., 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd.)
Keywords:
Ga2O3,GaN,mist CVD
GaN-HEMTの2DEG濃度を制御する一手法として，大きな自発分極が期待されるκ-Ga2O3に着目している．本研究では，低ダメージな成膜手法であるミストCVDを用いて，Ga極性とN極性GaNテンプレート上にκ-Ga2O3薄膜が成長する条件を検討した．さらに，2DEGへの影響を調べるためにGa極性上AlGaN/GaN 構造に膜厚60 nm のκ-Ga2O3を成長し，成膜後にシート抵抗が変化することを確認した．現時点ではκ-Ga2O3の分極特性の寄与かは断定できないが，2DEG濃度が変調できた可能性がある．