講演情報
[17p-W9_324-8]κ-Ga2O3 薄膜を用いた GaN HEMT における 2DEG 濃度変調の検討
〇(M1)西川 未咲1、土居 晃1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1、牧山 剛三2、中田 健2 (1.大阪工大 ナノ材研、2.住友電気工業株式会社)
キーワード：
Ga2O3、GaN、ミストCVD
GaN-HEMTの2DEG濃度を制御する一手法として，大きな自発分極が期待されるκ-Ga2O3に着目している．本研究では，低ダメージな成膜手法であるミストCVDを用いて，Ga極性とN極性GaNテンプレート上にκ-Ga2O3薄膜が成長する条件を検討した．さらに，2DEGへの影響を調べるためにGa極性上AlGaN/GaN 構造に膜厚60 nm のκ-Ga2O3を成長し，成膜後にシート抵抗が変化することを確認した．現時点ではκ-Ga2O3の分極特性の寄与かは断定できないが，2DEG濃度が変調できた可能性がある．