[18a-M_178-1~11] 17.3 Layered materials

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[18a-M_178-1] [The 59th Young Scientist Presentation Award Speech] Van der Waals Epitaxy and Strain Engineering of TMDs on Graphene/SiC Substrates

〇Ryotaro Sakakibara¹, Kaito Hirata^2,3, Yasufumi Takahashi³, Wataru Norimatsu⁴, Yasumitsu Miyata^1,5 (1.NIMS, 2.Nagoya Inst. Tech., 3.Nagoya Univ., 4.Waseda Univ., 5.Tokyo Metro. Univ.)

Keywords:

Transition Metal Dichalcogenides,Strain,hydrogen evolution reaction

本研究では、グラフェン/SiC(0001)基板上に単層のWSe₂およびMoS₂をvan der Waalsエピタキシーにより成長させることで、熱膨張に起因した均一な歪みを導入した。WSe₂の場合では極めて細いPLスペクトル線幅が、MoS₂の場合では高い水素発生触媒特性が観察された。これらの特長は従来の成長基板では見られないものであり、グラフェン/SiC基板の有用性を示すとともに、二次元物質の結晶成長や構造制御における新たな可能性を提示している。