[18a-M_178-1~11] 17.3 層状物質

9:00 〜 9:15

[18a-M_178-1] [第59回講演奨励賞受賞記念講演] グラフェン/SiC基板上における遷移金属ダイカルコゲナイドのvan der Waalsエピタキシーと歪み導入

〇榊原 涼太郎¹、平田 海斗^2,3、高橋 康史³、乗松 航⁴、宮田 耕充^1,5 (1.NIMS、2.名工大、3.名大、4.早大、5.都立大)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、歪み、水素発生反応

本研究では、グラフェン/SiC(0001)基板上に単層のWSe₂およびMoS₂をvan der Waalsエピタキシーにより成長させることで、熱膨張に起因した均一な歪みを導入した。WSe₂の場合では極めて細いPLスペクトル線幅が、MoS₂の場合では高い水素発生触媒特性が観察された。これらの特長は従来の成長基板では見られないものであり、グラフェン/SiC基板の有用性を示すとともに、二次元物質の結晶成長や構造制御における新たな可能性を提示している。