[18a-M_178-1~11] 17.3 Layered materials

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[18a-M_178-10] Fabrication of SnS thin films on mica with sulfur plasma-assisted sputtering.

〇(D)Taichi Nogami¹, Issei Suzuki¹, Yoshikazu Terai², Sakiko Kawanishi^1,3, Daiki Motai¹, Takahisa Omata¹ (1.Tohoku Univ., 2.Kyushu Inst. of Tech., 3.Kyoto Univ.)

Keywords:

SnS,epitaxial growth,sputtering

層状構造を有するSnSのポテンシャルを引き出すためには、van der Waals面が整列するように原子が高い秩序で配列したエピタキシャル成長の実現が望ましい。本研究では、大面積化の容易なスパッタリングによりSnS薄膜をマイカ基板上に堆積し、エピタキシーの発現を調べた。XRDの面内方位測定や断面TEM観察から、作製したSnS薄膜がエピタキシャル成長していることを明らかにした。