[18a-M_178-1~11] 17.3 層状物質

11:30 〜 11:45

[18a-M_178-10] スパッタリングによるマイカ基板へのエピタキシャルSnS薄膜の作製

〇(D)野上 大一¹、鈴木 一誓¹、寺井 慶和²、川西 咲子^1,3、茂田井 大輝¹、小俣 孝久¹ (1.東北大、2.九工大、3.京大)

キーワード：

SnS、エピタキシャル成長、スパッタリング

層状構造を有するSnSのポテンシャルを引き出すためには、van der Waals面が整列するように原子が高い秩序で配列したエピタキシャル成長の実現が望ましい。本研究では、大面積化の容易なスパッタリングによりSnS薄膜をマイカ基板上に堆積し、エピタキシーの発現を調べた。XRDの面内方位測定や断面TEM観察から、作製したSnS薄膜がエピタキシャル成長していることを明らかにした。