[18a-M_178-1~11] 17.3 Layered materials

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[18a-M_178-2] Solid-Phase Epitaxial Growth of NbSe₂/WSe₂ Heterostructure

〇Ryotaro Sakakibara¹, Ritsuki Okukawa², Yasumitsu Miyata^1,2 (1.NIMS, 2.Tokyo Metro. Univ.)

Keywords:

Transition Metal Dichalcogenides,Epitaxial growth,TEM

vdWエピタキシーにより多様な層状物質のヘテロ積層が可能だが、CVD成長などの従来法ではFETの電極形成に向けた形状制御が困難という課題がある。そこで本研究では、固相反応に基づくNbSe₂/WSe₂のvdWエピタキシーを検討した。Nb薄膜をWSe₂上に堆積後、Se雰囲気中でアニールを行った。原子分解能電子顕微鏡観察の結果、急峻で均一なヘテロ界面を持つNbSe₂/WSe₂構造の形成が確認され、固相エピタキシャル成長が示唆された。