[18a-M_178-1~11] 17.3 層状物質

9:15 〜 9:30

[18a-M_178-2] 固相エピタキシャル成長による NbSe₂/WSe₂へテロ構造の形成

〇榊原 涼太郎¹、奥川 梨月²、宮田 耕充^1,2 (1.NIMS、2.都立大)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、エピタキシャル成長、透過電子顕微鏡

vdWエピタキシーにより多様な層状物質のヘテロ積層が可能だが、CVD成長などの従来法ではFETの電極形成に向けた形状制御が困難という課題がある。そこで本研究では、固相反応に基づくNbSe₂/WSe₂のvdWエピタキシーを検討した。Nb薄膜をWSe₂上に堆積後、Se雰囲気中でアニールを行った。原子分解能電子顕微鏡観察の結果、急峻で均一なヘテロ界面を持つNbSe₂/WSe₂構造の形成が確認され、固相エピタキシャル成長が示唆された。