[18a-M_178-1~11] 17.3 Layered materials

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[18a-M_178-5] Growth of monolayer WS₂ on sapphire substrate by gas-source CVD

〇(M1C)Shunnosuke Murakami^1,2, Ryotaro Sakakibara¹, Ryutaro Nishino³, Naoya Okada³, Toshifumi Irisawa³, Yasumitsu Miyata^1,2 (1.NIMS, 2.Tokyo Metro. Univ., 3.AIST)

Keywords:

Chemical Vapor Deposition,Transition Metal Dichalcogenides,WS2

単層WS₂は高いホール移動度が理論的に期待されており、デバイス応用に向けた大面積単層成長と層数制御が重要である。本研究では、酸素・炭素を含まない前駆体であるWF₆およびH₂Sを用いたガス原料CVDによるサファイア基板上でのWS₂成長を検討した。成長時間30分および120分のいずれにおいても連続的な単層膜が形成され、二層目の形成は確認されなかったことから、自己制限的成長が実現していることが示唆された。