講演情報
[18a-M_178-5]ガス原料CVDを用いたサファイア基板上の単層WS2成長
〇(M1C)村上 隼之亮1,2、榊原 涼太郎1、西野 隆太郎3、岡田 直也3、入沢 寿史3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.産総研)
キーワード：
化学気相成長法、遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン
単層WS2は高いホール移動度が理論的に期待されており、デバイス応用に向けた大面積単層成長と層数制御が重要である。本研究では、酸素・炭素を含まない前駆体であるWF6およびH2Sを用いたガス原料CVDによるサファイア基板上でのWS2成長を検討した。成長時間30分および120分のいずれにおいても連続的な単層膜が形成され、二層目の形成は確認されなかったことから、自己制限的成長が実現していることが示唆された。