[18a-M_178-1~11] 17.3 Layered materials

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-M_178-6] Area selected Gas-source CVD growth of WS₂ films on amorphous Al₂O₃

〇Ryutaro Nishino¹, WEN HSIN CHANG¹, Naoya Okada¹, Toshifumi Irisawa¹ (1.AIST SFRC)

Keywords:

Area selective growth,2D materials,WS2

基板上の特定領域に直接二次元材料を成膜する「選択成長」は、転写やチャネル加工によるボイドや欠陥形成なくウェハスケールでチャネル形成可能な利点がある。本研究ではWF₆とH₂Sを原料としたガスソースCVDにおいて、成長基板やその前処理、成膜条件がWS₂の選択性や結晶性に及ぼす影響を検討し、アモルファスAl₂O₃上へのWS₂の選択成長を実現した。