講演情報
[18a-M_178-6]ガスソースCVDによるWS2のアモルファスAl2O3上への選択成長
〇西野 隆太郎1、張 文馨1、岡田 直也1、入沢 寿史1 (1.産総研 SFRC)
キーワード：
選択成長、二次元材料、WS2
基板上の特定領域に直接二次元材料を成膜する「選択成長」は、転写やチャネル加工によるボイドや欠陥形成なくウェハスケールでチャネル形成可能な利点がある。本研究ではWF6とH2Sを原料としたガスソースCVDにおいて、成長基板やその前処理、成膜条件がWS2の選択性や結晶性に及ぼす影響を検討し、アモルファスAl2O3上へのWS2の選択成長を実現した。