Presentation Information
[18a-PA3-15]Growth of Ga-doped ZnO layer by UHV sputter epitaxy method
〇YUKIHIRO MIYAZAWA1, DAITO IMAI1, KAITO HORIKOSHI1, HARUTO IKEDA1, AOSHI KAMIYA1, KOUTA BAIJU1, TAKEHIRO HIMENO1, KEISUKE YOSHIDA1, HIROYUKI SHINODA1, NOBUKI MUTSUKURA1 (1.Toukyo Denki Univ.)
Keywords:
ZnO,sputter epitaxy method
一般的にZnOはn型化が容易であるが，広範囲のn型伝導性の制御やp型化には高品質な結晶が必要である．我々はこれまで，超高真空（UHV）スパッタエピタキシー法により，サファイア基板上にZnO層の成長を行い，成長条件の最適化について検討してきた．前回，ノンドープZnO層の成長を行ったところ，電子密度が低く，高抵抗であることが解った．今回は，n型伝導性の制御のため，GaドープZnO層の成長について検討を行ったので報告する．