講演情報
[18a-PA3-15]UHVスパッタエピタキシー法によるGaドープZnO層の成長
〇宮澤 幸大1、今井 大斗1、堀越 快人1、池田 陽登1、神谷 蒼士1、梅寿 孝太1、姫野 武大1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
酸化亜鉛、スパッタエピタキシー法
一般的にZnOはn型化が容易であるが，広範囲のn型伝導性の制御やp型化には高品質な結晶が必要である．我々はこれまで，超高真空（UHV）スパッタエピタキシー法により，サファイア基板上にZnO層の成長を行い，成長条件の最適化について検討してきた．前回，ノンドープZnO層の成長を行ったところ，電子密度が低く，高抵抗であることが解った．今回は，n型伝導性の制御のため，GaドープZnO層の成長について検討を行ったので報告する．