Presentation Information
[18a-PA3-16]Annealing treatment of sputter-grown ZnO layer
〇(B)Daito Imai1, Yukihiro Miyazawa1, Haruto Ikeda1, Kaito Horikoshi1, Yuto Asahi1, Syuji Yamaguchi1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
ZnO,sputter epitaxy
酸化亜鉛（ZnO）は，ガスセンサや透明電極， 圧電共振器などの幅広い応用が期待されている．我々はこれまで，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて，c面サファイア基板上へZnO層の成長を行ってきた．その結果，基板温度900℃において，最も結晶性に優れたZnO層が成長することが解っている．今回は，成長したZnO層を大気中にてアニール処理し，その結晶性等について検討を行った．