講演情報
[18a-PA3-16]スパッタ成長ZnO層のアニーリング処理
〇(B)今井 大斗1、宮澤 幸大1、池田 陽登1、堀越 快人1、朝日 勇翔1、山口 修志1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
酸化亜鉛、スパッタエピタキシー法
酸化亜鉛（ZnO）は，ガスセンサや透明電極， 圧電共振器などの幅広い応用が期待されている．我々はこれまで，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて，c面サファイア基板上へZnO層の成長を行ってきた．その結果，基板温度900℃において，最も結晶性に優れたZnO層が成長することが解っている．今回は，成長したZnO層を大気中にてアニール処理し，その結晶性等について検討を行った．