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[18a-PA3-2]Defect Level Behavior in β-Ga2O3 Substrates Annealed at High Temperature in Nitrogen
〇Yoshitaka Nakano1, Yuki Ueda2, Kohei Sasaki2, Akito Kuramata2 (1.Chubu Univ., 2.Novel Crystal Technology)
Keywords:
Ga2O3,defect level,high-temperature annealing
本発表では、窒素中で高温度アニール処理したβ-Ga2O3単結晶基板を欠陥準位評価できるよう表面処理した後、光容量分光(SSPC), 熱アドミタンス分光(TAS), 深準位過渡分光(DLTS)の欠陥準位評価からキャリア濃度分布と欠陥準位の関係を検討したので報告する。