講演情報
[18a-PA3-2]窒素中高温度アニール処理したβ-Ga2O3基板の欠陥準位挙動
〇中野 由崇1、上田 悠貴2、佐々木 公平2、倉又 朗人2 (1.中部大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
酸化ガリウム、欠陥準位、高温度アニール
本発表では、窒素中で高温度アニール処理したβ-Ga2O3単結晶基板を欠陥準位評価できるよう表面処理した後、光容量分光(SSPC), 熱アドミタンス分光(TAS), 深準位過渡分光(DLTS)の欠陥準位評価からキャリア濃度分布と欠陥準位の関係を検討したので報告する。