Presentation Information
[18a-PA3-3]Growth Temperature Dependence of Structural and Optical Properties of Gallium Oxide Thin Films Grown by Mist CVD on Quartz Glass Substrates
〇Shunsuke Enoki1, Iori Yamasaki1, Misaki Nishikawa1, Masatoshi Koyama1, Kazuto Koike1, Akihiko Fujii1, Toshihiko Maemoto1 (1.Osaka Inst. of Tech.)
Keywords:
wide gap semiconductor,Ga2O3
本研究では，深紫外線受光デバイスへの応用を目的として，ミストCVD法により合成石英基板上へ 300~500℃の成膜温度で GaOx 薄膜を成膜し, 成膜温度が薄膜の表面，結晶構造，光学特性に及ぼす影響について評価を行った．また, これらの薄膜に MSM型光検出器を作製し，紫外線応答特性の成膜温度依存性について評価した結果についても報告する．