[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-3] 合成石英基板上にミストCVD成長した酸化ガリウム薄膜における結晶構造と光学特性の成長温度依存性

〇榎 駿介¹、山崎 伊織¹、西川 未咲¹、小山 政俊¹、小池 一歩¹、藤井 彰彦¹、前元 利彦¹ (1.大阪工業大学)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、Ga2O3

本研究では，深紫外線受光デバイスへの応用を目的として，ミストCVD法により合成石英基板上へ 300~500℃の成膜温度で GaO_x 薄膜を成膜し, 成膜温度が薄膜の表面，結晶構造，光学特性に及ぼす影響について評価を行った．また, これらの薄膜に MSM型光検出器を作製し，紫外線応答特性の成膜温度依存性について評価した結果についても報告する．